奕斯偉材料完成超30億元人民幣B輪融資

近日，西安奕斯偉材料科技有限公司（以下稱“奕斯偉材料”）完成B輪融資，融資金額超30億人民幣，中信證券投資、金石投資聯合領投，中網投、陜西民營基金、毅達資本、眾為資本、國壽股權等機構跟投，老股東芯動能、三行資本追加投資，光源資本擔任獨家財務顧問。奕斯偉材料此次融資將用于擴大產能。

晶盛機電與應用材料成立合資公司

7月30日消息，晶盛機電發布公告稱，擬與全球半導體設備龍頭大廠Applied Materials,Inc.（以下稱“應用材料公司”）成立合資公司，注冊資本1.5億元，晶盛機電持股65%，應用材料持股35%。與此同時，合資公司科盛裝備擬合計出資1.2美元收購應用材料公司旗下位于意大利的絲網印刷設備業務、位于新加坡的晶片檢測設備業務以及上述業務在中國的資產（以下簡稱“標的業務”）。

華微電子：積極布局，重點推進第三代半導體

8月5日，華微電子表示公司正積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導體器件技術，重點推進SiC SBD 產品和 650V GaN 器件的開發。

華微電子作為功率半導體龍頭，近年來也把目光轉向了第三代半導體領域。華微電子表示，下一步，將進一步發揮公司的IDM模式的優勢，集中精力研究三代半導體的關鍵產品技術和應用技術，完善相關生產線開發和制造能力，為消費類、工業和汽車電子領域提供優異的三代半導體電力電子器件。

微波等離子 CVD 可以生產出高質量的 AlN

北京工業大學和蘇州納米技術與納米仿生研究所的工程師聲稱在采用新型沉積技術生長氮化鋁外延層方面取得了實質性進展。為了生長 AlN 外延層，該團隊首先將 6H-SiC 襯底加載到他們自制的微波等離子體 CVD 系統中。發射頻率為 2.45 GHz 的 5.6 kW 源產生的微波穿過波導，進入反應室并集中在鉬托盤的上部區域，最終形成了高質量的AlN材料。